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to 247 リードコレクションフレーム

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Glass-based encapsulant enabling SiC power devices to long-term operate at 300 °C - ScienceDirect。Schematically cross-section of a TO-247 diode in upside-down configuration | Download Scientific Diagram。TO-247 (FRD) | ディスクリートファストリカバリダイオード（FRD） | パワー半導体 | 製品情報 | 電子部品 | 京セラ。IGBT chip in TO-247 package (Section (a) Single IGBT | Download Scientific Diagram。12KB"],"2001":[null,null,null,null,null,null,null,1],"2003":[null,"KCETi5iK74VNpM。Advanced Isolation - Infineon Technologies。【日本コネクト工業】リード挿入型パワーデバイス用ソケット。リードフレーム|株式会社三井ハイテック。パワーサイクル試験による電気・熱ストレスを印加した半導体チップ信頼性評価 | 株式会社日産アーク。新パッケージ TO-247-4Lを製品化 600V系スーパージャンクションパワーMOSFET （DTMOSⅣ-Hシリーズ） | 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 | 日本。パワーデバイスディスクリート試作～量産大分デバイステクノロジー | イプロスものづくり。インフィニオン、TO-247PLUSパッケージに収めた高電力密度のディスクリートIGBTを製品化 - Infineon Technologies。TO】パッケージの『種類(TO-220やTO-92など)』と『特徴』を解説！。IGBTの熱計算により電力設計の有効性を最大化：電源設計（1/4 ページ） - EDN Japan。TO-247-4L | 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 | 日本。パワーデバイス用ソケット 4端子ソケット TO-247 4L対応 T4PNF-L214-ST-BK-P 1個入。Schematic cross section of the TO-247 Advanced Isolation package | Download Scientific Diagram。CONN TRANSIST TO-220/TO-247 5POS MPP-1100-05-DS-4GR(S1402) Sullins Connector Solutions製｜電子部品・半導体通販のマルツ。MOSFETの熱抵抗と許容損失：裏面放熱が可能なパッケージ | トランジスタとは－分類と特徴 | TechWeb。

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【日本コネクト工業】リード挿入型パワーデバイス用ソケット

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リードフレーム|株式会社三井ハイテック

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パワーデバイスディスクリート試作～量産大分デバイステクノロジー | イプロスものづくり

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CONN TRANSIST TO-220/TO-247 5POS MPP-1100-05-DS-4GR(S1402) Sullins Connector Solutions製｜電子部品・半導体通販のマルツ

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IGBTの熱計算により電力設計の有効性を最大化：電源設計（1/4 ページ） - EDN Japan

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Schematic cross section of the TO-247 Advanced Isolation package | Download Scientific Diagram

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MOSFETの熱抵抗と許容損失：裏面放熱が可能なパッケージ | トランジスタとは－分類と特徴 | TechWeb

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TO-247-4L | 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 | 日本

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IGBT chip in TO-247 package (Section 2.4.1). (a) Single IGBT (Footnote... | Download Scientific Diagram

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リードフレーム（ TO220/263/DPAK ） - 中国 220 、 263 、 DPAK 、リードフレーム

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インフィニオン、TO-247PLUSパッケージに収めた高電力密度のディスクリートIGBTを製品化 - Infineon Technologies

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TO】パッケージの『種類(TO-220やTO-92など)』と『特徴』を解説！

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Lead frame - Lusun New Energy Materials (Shanghai) Co., Ltd.

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